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I. 실험 목적
BJT(Bipolar Junction Transistor) 소자의 문턱 전압을 측정한다.
의 변화가 에 미치는 영향을 측정한다.
를 측정 및 결정한다.
npn형 BJT의 컬렉터() 특성 곡선군을 실험적으로 결정하고 그래프로 그린다.
점 대 점 방법(point-by-point)을 이용하여 BJT의 평균 컬렉터 특성 곡선 군을 관측한다.
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